根據Wind數據，半導體設備ETF（159516）盤中流入3300萬份，凈流入700萬份，資金搶籌布局。

相關機構表示，近期，長江存儲三期正式注冊成立，若項目正式投產，長江存儲的產能將實現跨越式增長，計劃力爭到2026年底占據全球NAND閃存供應量的15%。而在存儲擴產的必然趨勢下，設備作為擴產的前置環節，迎來重要機遇窗口。例如，3D堆疊存儲快速發展，為提升存儲密度，將存儲單元垂直堆疊，目前主流產品已超過200層，未來還將向1000層邁進，這使得對刻蝕設備的需求量和性能要求呈指數級增長，同時堆疊層數增加的同時每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD與CVD協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積設備提出了更高要求。

隨著“十五五”規劃提出，科技自主可控成為重點工作目標，國產算力板塊有望成為市場主線，同時持續看好AI浪潮下的存儲周期和消費電子的創新周期。

半導體設備ETF（159516）跟蹤的是半導體材料設備指數（931743），該指數聚焦于半導體產業鏈上游的材料與設備領域，選取從事半導體材料研發、生產以及半導體設備制造的上市公司證券作為指數樣本，以反映半導體產業核心基礎環節的整體表現。作為科技投資的重要風向標，該指數具有顯著的技術壁壘和成長性特征，能夠有效追蹤半導體產業關鍵支撐領域的發展動態。

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